西門(mén)子觸發(fā)板出現(xiàn)故障維修中的一些數(shù)據(jù)情況
?、旁诮刂?fàn)顟B(tài)時(shí)
?、贀舸╇妷篣ceo;和Ucex;：能使集電??和發(fā)射??之間擊穿的小電壓?；??開(kāi)路是用Uceo;表示?間接入反向偏壓時(shí)用Ucex;表示。在大多數(shù)情況下，這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。
②漏電流Iceo;和Icex;：截止?fàn)顟B(tài)下，??極流??極的電流。但是前提條件是：,;大功率并且為風(fēng)機(jī)泵類(lèi)負(fù)載??極開(kāi)路時(shí)為Iceo;?間反偏時(shí)為Icex;。
?、圃陲柡蜖顟B(tài)時(shí)
?、?集電極大電流Icm;：GTR;飽和導(dǎo)通是的大允許電流。
?、?飽和壓降Uces;：當(dāng)GTR;飽和導(dǎo)通時(shí)?間的電壓降。
?、窃陂_(kāi)關(guān)過(guò)程中
?、?開(kāi)通時(shí)間Ton;：??極通入正向電流時(shí)起，到集電極電流上升到0：9Ics;所需要的時(shí)間。
?、?關(guān)斷時(shí)間Toff;：從基極電流撤消時(shí)起，至Ic;下降至0：1Ics;所需的時(shí)間
開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM;調(diào)制是的載波頻率。通常，使用GTR;做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz;。
4：變頻器用GTR;西門(mén)子觸發(fā)板維修的選用
?、臮ceo;通常按電源線電壓U;峰值的2倍來(lái)選擇。
Uceo;≥2廠2U;在電源電壓為380V;的變頻器中，應(yīng)有Uceo;≥2廠2U*380V=1074：8V;，故選用Uceo=1200V;的GTR;是適宜的。
⑵Icm;按額定電流In;峰值的2倍來(lái)選擇Icm;≥2廠2In;GTR;是用電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。;今天我告訴大家的是MOSFET;以及IGBT;
1;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（POWERMOSFET;）;它的3;個(gè)極分別是源極S;漏??和柵極G;
其工作特點(diǎn)是，GS;間的控制是電壓Ugs;。改變Ugs;的大小，主電路的漏極電流Id;也跟著改變。由于GS;間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR;相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET;還具有熱穩(wěn)定性好安全工作區(qū)大;等優(yōu)點(diǎn)。整流單元測(cè)量參考數(shù)據(jù)見(jiàn)表.;。
但是，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。
2;絕緣柵雙極晶體管（IGBT;）IGBT;是MOSFET;和GTR;相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS;結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電??發(fā)射??和柵極G;。
工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，控制為電壓Uge;輸入阻抗很高，柵極電流I;≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR;相同，工作電流為集電極電流I;。
以上便是今天關(guān)于西門(mén)子觸發(fā)板出現(xiàn)故障維修中的一些數(shù)據(jù)情況的全部分享了，希望對(duì)大家今后使用本設(shè)備能有幫助。
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更新時(shí)間：2019-08-20 
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